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1。特性阻抗:同軸電纜的特性阻抗取決于外導(dǎo)體內(nèi)徑與內(nèi)導(dǎo)體外徑之比以及內(nèi)外導(dǎo)體間介質(zhì)的介電常數(shù)。由于皮膚效應(yīng)；電磁波在導(dǎo)體表面?zhèn)鞑ィ灾匾闹睆绞峭鈱?dǎo)體的內(nèi)徑和內(nèi)導(dǎo)體的外徑。同軸電纜的阻抗應(yīng)與系統(tǒng)的阻抗相匹配。普通同軸電纜的阻抗為50、75和95歐姆，有時(shí)還可以看到35至185歐姆的其他阻抗。50歐姆電纜用于微波和無線通信。75歐姆電纜的典型應(yīng)用是有線電視和視頻。95歐姆電纜常用于數(shù)據(jù)傳輸。為了獲得最佳系統(tǒng)性能，所選電纜阻抗必須與系統(tǒng)其他部分的阻抗相匹配。在所有普通同軸電纜中，75歐姆提供最小衰減，35歐姆提供最大功率傳輸容量。對(duì)于實(shí)際的同軸電纜(非理想介質(zhì)和導(dǎo)體)，這幾個(gè)方面差別不大。電纜及相關(guān)元件特性阻抗的選擇性，一般是我們選擇系統(tǒng)特性阻抗的決定性因素。特性阻抗(Zo)是射頻甘肅連接器非常重要的基礎(chǔ)參數(shù)，直接影響電壓駐波比、工作頻帶、插入損耗等指標(biāo)。

2.信號(hào)反射(RL):射頻能量進(jìn)入同軸電纜組件時(shí)，有三種現(xiàn)象:1。能量被傳輸?shù)诫娎|的另一端——這通常是所希望的；2.電纜在傳輸過程中能量衰減/損失:一部分轉(zhuǎn)化為熱量，另一部分泄漏出電纜；3.能量被反射到電纜組件的輸入端。由于電纜組件在長度方向上的阻抗變化，包括電纜和連接部件之間的阻抗變化，能量被反射到輸入端。甘肅連接器以及連接器和電纜之間的連接接口是典型的反射源。電纜本身也會(huì)引起反射，其反射源之一是過程引起的電纜長度方向阻抗的周期性變化，在某一頻率處會(huì)發(fā)生重疊，產(chǎn)生特征跳變。低回波損耗通常是同軸元件(如同軸電纜、甘肅同軸連接器和電纜組件)優(yōu)越性能的特征。

3、衰減( Attenuation )衰減是信號(hào)沿著電纜傳輸?shù)膿p失。當(dāng)射頻信號(hào)通過電纜時(shí)，一部分被轉(zhuǎn)換為熱，一部分通過屏蔽層遠(yuǎn)離泄漏電纜。由于衰減隨著頻率的增加而增加，因此衰減通常表示為特定頻率的每單位長度的分貝數(shù)。常見的APP是盡量減少電纜傳輸中的信號(hào)損耗或?qū)⑵淇刂圃谝?guī)定范圍內(nèi)。最小的損失為0分貝衰減或輸入輸出的功率比為1:1。相對(duì)于相同的結(jié)構(gòu)，電纜越大衰減越小，因此減小衰減意味著電纜的頭部變大。衰減由銅損(導(dǎo)電性損失)和介質(zhì)損耗因數(shù))絕緣性損失)決定。大電纜具有更好的導(dǎo)電能力，更小的銅損——更小的衰減，但介損與尺寸大小無關(guān)。介損與頻率呈線性關(guān)系，銅損與頻率平方根成正比---表皮效應(yīng)，因此頻率增大時(shí)介損較銅損明顯---頻率高時(shí)介損是衰減的主要因素。溫度上升會(huì)降低導(dǎo)體的導(dǎo)電率，增大介質(zhì)的功率因數(shù)，因此溫度上升會(huì)增大電纜的衰減，電纜因溫度而引起的衰減狀況需要通過溫度系數(shù)進(jìn)行修正。為了選擇必要的電纜，首先決定系統(tǒng)允許的電纜在最高使用頻率下的衰減，根據(jù)適用環(huán)境的溫度狀況修正允許衰減量。

甘肅同軸連接器主要的高頻特征

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